Hàn điện trở
Nó được sử dụng để hàn các bộ phận kim loại mỏng. Phôi được kẹp giữa hai điện cực và một dòng điện lớn được sử dụng để làm nóng chảy các bề mặt nơi các điện cực tiếp xúc, do đó đạt được hàn thông qua quá trình gia nhiệt điện trở của phôi. Các phôi dễ bị biến dạng. Hàn điện trở nối từ cả hai phía, trong khi hàn laser chỉ nối từ một phía. Các điện cực được sử dụng trong hàn điện trở cần được bảo trì thường xuyên để loại bỏ các oxit và kim loại bám dính vào phôi. Hàn laser các mối nối kim loại mỏng không tiếp xúc với phôi và chùm tia laser có thể xuyên qua các khu vực khó tiếp cận bằng hàn thông thường. Tốc độ hàn cũng nhanh.
Hàn hồ quang Argon
Sử dụng-các điện cực không tiêu hao và khí bảo vệ, thường dùng để hàn các phôi mỏng nhưng tốc độ hàn chậm hơn và lượng nhiệt đưa vào lớn hơn nhiều so với hàn laser nên dễ bị biến dạng.
Hàn hồ quang plasma
Tương tự như hàn hồ quang argon, nhưng mỏ hàn của nó tạo ra hồ quang nén để tăng nhiệt độ hồ quang và mật độ năng lượng. Nó nhanh hơn và có độ sâu thâm nhập lớn hơn hàn hồ quang argon, nhưng kém hơn so với hàn laser.
Hàn chùm tia điện tử
Nó dựa vào chùm electron có mật độ-năng lượng{1}}cao, được gia tốc để tấn công phôi, tạo ra nhiệt lượng cực lớn trong một khu vực nhỏ, dày đặc trên bề mặt phôi, tạo ra hiệu ứng "lỗ khóa", do đó đạt được khả năng hàn xuyên sâu. Nhược điểm chính của hàn chùm tia điện tử là cần có môi trường chân không-cao để ngăn chặn sự tán xạ điện tử, thiết bị phức tạp, những hạn chế về kích thước và hình dạng phôi do buồng chân không và các yêu cầu nghiêm ngặt về chất lượng lắp ráp phôi. Mặc dù có thể thực hiện hàn chùm tia điện tử không chân không nhưng khả năng lấy nét kém do tán xạ điện tử sẽ ảnh hưởng đến kết quả. Hàn bằng chùm tia điện tử cũng gây ra các vấn đề về độ lệch từ trường và tia X-. Vì các electron mang điện nên chúng bị ảnh hưởng bởi độ lệch từ trường, do đó cần phải khử từ-cho phôi gia công trước. Tia X{11}}đặc biệt mạnh dưới áp suất cao nên cần phải bảo vệ người vận hành. Mặt khác, hàn laze không yêu cầu buồng chân không hoặc quá trình khử từ{13}}trước phôi. Nó có thể được thực hiện trong khí quyển và không gặp vấn đề về bảo vệ tia X,{15}}cho phép vận hành trực tuyến trong dây chuyền sản xuất và hàn vật liệu từ tính.